二极管和理想二极管的区别主要体现在以下几个方面：

正向压降

二极管：在实际应用中，二极管在正向导通时存在一定的正向压降，例如硅二极管的正向压降约为0.7V，锗二极管约为0.2V。

理想二极管：理想二极管在正向导通时没有压降，即正向压降为0。

反向漏电流

二极管：在实际应用中，二极管在反向偏置时存在一定的反向漏电流，即使反向电压较小，也会有微弱的电流通过。

理想二极管：理想二极管在反向偏置时没有漏电流，即反向漏电流为0。

内部电阻

二极管：实际二极管内部存在一定的电阻，这会导致功率损耗。

理想二极管：理想二极管内部电阻为零，因此没有功率损耗。

击穿电压

二极管：实际二极管在反向偏置时存在击穿电压，即在一定的反向电压下，二极管会发生击穿现象。

理想二极管：理想二极管没有击穿电压，即在反向偏置时，二极管不会发生击穿现象。

应用与设计

二极管：实际二极管用于各种电子电路中，如整流、保护等，但需要考虑其压降和漏电流等实际特性。

理想二极管：理想二极管主要用于理论分析和设计中，作为理想模型来简化问题和突出主要特性。

总结：

二极管和理想二极管的主要区别在于理想二极管具有零正向压降、零反向漏电流、无内部电阻和无击穿电压等特性，这些特性在实际二极管中是无法完全实现的。理想二极管主要用于理论分析和设计中，而实际二极管则用于各种电子电路中，需要考虑其实际特性。